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      1. <dl id="QjfMLG"></dl>

        1. 深圳市澤創偉(wei)業(ye)科技(ji)有(you)限(xian)公(gong)司(si)

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          常見(jian)問題

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          什麽(me)是(shi)固態硬(ying)盤(pan)?

          作者(zhe): 深圳市澤創偉(wei)業(ye)科技(ji)有(you)限(xian)公(gong)司(si) 發(fa)表(biao)時(shi)間(jian):2017-11-24 16:05:34瀏(liu)覽量(liang):15664大(da)

          固態硬(ying)盤(pan)(SolidStateDisk或SolidStateDrive),也稱(cheng)作電(dian)子硬(ying)盤(pan)或者(zhe)固態電(dian)子盤(pan),是由(you)控(kong)制(zhi)單元(yuan)和(he)固態存儲單元(yuan)(DRAM或FLASH芯(xin)片(pian))組(zu)成(cheng)的(de)硬(ying)盤(pan)。目(mu)前(qian)主要(yao)有(you)兩類:
          文本(ben)標簽(qian):
          固態硬(ying)盤(pan)(SolidStateDisk或SolidStateDrive),也稱(cheng)作電(dian)子硬(ying)盤(pan)或者(zhe)固態電(dian)子盤(pan),是由(you)控(kong)制(zhi)單元(yuan)和(he)固態存儲單元(yuan)(DRAM或FLASH芯(xin)片(pian))組(zu)成(cheng)的(de)硬(ying)盤(pan)。目(mu)前(qian)主要(yao)有(you)兩類:
          1.基(ji)於(yu)閃存的(de)固態硬(ying)盤(pan):采(cai)用FLASH芯片(pian)作為(wei)存(cun)儲(chu)介質,這也是我(wo)們(men)通常所說的(de)固態硬(ying)盤(pan)。它的(de)外(wai)觀可(ke)以(yi)被(bei)制(zhi)作成(cheng)多(duo)種(zhong)模樣(yang),例如:筆記本(ben)硬(ying)盤(pan)、微硬(ying)盤(pan)、存儲(chu)卡(ka)、優(you)盤(pan)等樣式。這種(zhong)固態硬(ying)盤(pan)最(zui)大(da)的(de)優(you)點(dian)就(jiu)是可(ke)以(yi)移動,而且(qie)數據(ju)保護(hu)不受電(dian)源(yuan)控(kong)制(zhi),能(neng)適應於(yu)各(ge)種(zhong)環(huan)境(jing),但(dan)是(shi)使用壽命不(bu)高,適合(he)於(yu)個(ge)人(ren)用戶使(shi)用。

          2.基(ji)於(yu)DRAM的(de)固態硬(ying)盤(pan):采(cai)用DRAM作為(wei)存(cun)儲(chu)介質,目(mu)前(qian)應用範圍(wei)比較窄。它(ta)仿(fang)效(xiao)傳(chuan)統(tong)硬(ying)盤(pan)的(de)設(she)計(ji)、可(ke)被(bei)絕(jue)大(da)部(bu)分操(cao)作系(xi)統(tong)的(de)文(wen)件系統(tong)工(gong)具進行卷(juan)設(she)置和(he)管理,並提(ti)供工(gong)業(ye)標準(zhun)的(de)PCI和(he)FC接口用於(yu)連接(jie)主(zhu)機(ji)或者(zhe)服(fu)務器。它是(shi)壹(yi)種(zhong)高性能(neng)的(de)存(cun)儲(chu)器,而且(qie)使(shi)用壽命很(hen)長(chang),美中不足的(de)是(shi)需(xu)要(yao)獨立(li)電(dian)源(yuan)來保護(hu)數據(ju)安全。由於(yu)目(mu)前(qian)市面(mian)上(shang)較少(shao)見(jian)到該(gai)類固態硬(ying)盤(pan),所以(yi)接下來(lai)本(ben)文將著重介紹基(ji)於(yu)閃存的(de)固態硬(ying)盤(pan)。


          目(mu)前(qian)固態硬(ying)盤(pan)產品有(you)3.5英(ying)寸,2.5英(ying)寸,1.8英(ying)寸等多(duo)種(zhong)類(lei)型(xing),市面(mian)上(shang)能(neng)見(jian)到的(de)最(zui)大(da)容(rong)量為(wei)512GB,接(jie)口規(gui)格(ge)與(yu)傳(chuan)統(tong)硬(ying)盤(pan)壹(yi)致(zhi)。固態硬(ying)盤(pan)的(de)內部(bu)構造(zao)十分簡(jian)單,通過(guo)工(gong)具可(ke)以(yi)很(hen)輕(qing)松(song)的(de)拆(chai)開外(wai)殼固定螺絲(si)看到固態硬(ying)盤(pan)內主(zhu)體(ti)其實(shi)就是(shi)壹(yi)塊PCB板(ban),而這(zhe)塊PCB板(ban)上(shang)最(zui)基(ji)本(ben)的(de)配(pei)件就是(shi)控(kong)制(zhi)芯(xin)片(pian)、緩存(cun)芯片(pian)和(he)用於(yu)存(cun)儲(chu)數(shu)據(ju)的(de)閃存芯(xin)片(pian)。

          目(mu)前(qian)市面(mian)上(shang)比較(jiao)常見(jian)的(de)固態硬(ying)盤(pan)有(you)Indilinx、SandForce、JMicron、Marvell、Samsung以(yi)及Intel等多(duo)種(zhong)主(zhu)控(kong)芯片(pian)。主控(kong)芯片(pian)是固態硬(ying)盤(pan)的(de)大(da)腦,其作用壹(yi)是(shi)合(he)理調配(pei)數據(ju)在各(ge)個(ge)閃存芯(xin)片(pian)上(shang)的(de)負(fu)荷,二則是(shi)承(cheng)擔(dan)了整(zheng)個(ge)數據(ju)中轉,連接(jie)閃存芯(xin)片(pian)和(he)外(wai)部(bu)SATA接口。不同的(de)主(zhu)控(kong)之間(jian)能(neng)力相差(cha)非常大(da),在數(shu)據(ju)處(chu)理能(neng)力,算(suan)法(fa),對(dui)閃存芯(xin)片(pian)的(de)讀取寫入(ru)控(kong)制(zhi)上(shang)會(hui)有(you)非常大(da)的(de)不(bu)同,直接會(hui)導(dao)致固態硬(ying)盤(pan)產品在性(xing)能(neng)上(shang)差(cha)距高達數十(shi)倍。


          主(zhu)控(kong)芯片(pian)旁邊(bian)是緩(huan)存(cun)芯(xin)片(pian),固態硬(ying)盤(pan)和(he)傳(chuan)統(tong)硬(ying)盤(pan)壹(yi)樣(yang)需要高速的(de)緩(huan)存(cun)芯(xin)片(pian)輔助(zhu)主控(kong)芯片(pian)進行(xing)數據(ju)處(chu)理。這裏需(xu)要註意的(de)是(shi),目(mu)前(qian)有(you)壹(yi)些廉(lian)價固態硬(ying)盤(pan)方(fang)案(an)為(wei)了節(jie)省成本(ben),省去(qu)了這(zhe)塊緩(huan)存芯(xin)片(pian),這樣(yang)對於(yu)使(shi)用時的(de)性(xing)能(neng)會(hui)有(you)壹(yi)定(ding)的(de)影(ying)響(xiang)。


          除(chu)了主(zhu)控(kong)芯片(pian)和(he)緩存(cun)芯片(pian)以(yi)外(wai),PCB板(ban)上(shang)其余(yu)的(de)大(da)部(bu)分位(wei)置都(dou)是(shi)NANDFlash閃存芯(xin)片(pian)了。NANDFlash閃存芯(xin)片(pian)又分(fen)為(wei)SLC(單層(ceng)單元(yuan))和(he)MLC(多(duo)層(ceng)單元(yuan))NAND閃存:
          1.SLC全(quan)稱(cheng)是(shi)單層(ceng)式儲存(cun)(SingleLevelCell),因為(wei)結構簡(jian)單,在寫入(ru)數(shu)據(ju)時(shi)電(dian)壓變(bian)化(hua)的(de)區(qu)間(jian)小(xiao),所以(yi)壽命較(jiao)長(chang),傳(chuan)統(tong)的(de)SLCNAND閃存可(ke)以(yi)經受10萬(wan)次(ci)的(de)讀寫。而(er)且(qie)因為(wei)壹(yi)組(zu)電(dian)壓即可(ke)驅動,所以(yi)其速度表現(xian)更好(hao),目(mu)前(qian)很(hen)多(duo)高端(duan)固態硬(ying)盤(pan)都是(shi)都(dou)采(cai)用該(gai)類型(xing)的(de)Flash閃存芯(xin)片(pian)。
          2.MLC全稱(cheng)是(shi)多(duo)層(ceng)式(shi)儲(chu)存(MultiLeveledCell),它采(cai)用較高的(de)電(dian)壓驅動,通過(guo)不(bu)同級別的(de)電(dian)壓在壹(yi)個(ge)塊中記錄兩組(zu)位(wei)信息(xi),這(zhe)樣(yang)就(jiu)可(ke)以(yi)將原(yuan)本(ben)SLC的(de)記錄密度理論提(ti)升壹(yi)倍。作為(wei)目(mu)前(qian)在固態硬(ying)盤(pan)中應用最(zui)為(wei)廣(guang)泛(fan)的(de)MLCNAND閃存,其最(zui)大(da)的(de)特(te)點(dian)就(jiu)是以(yi)更高的(de)存(cun)儲(chu)密度換(huan)取更(geng)低的(de)存(cun)儲(chu)成(cheng)本(ben),從(cong)而(er)可(ke)以(yi)獲得(de)進(jin)入更多(duo)終端(duan)領域(yu)的(de)契機。不過,MLC的(de)缺(que)點(dian)也很(hen)明(ming)顯(xian),其寫入(ru)壽命較(jiao)短(duan),讀寫方(fang)面(mian)的(de)能(neng)力也比SLC低(di),官(guan)方(fang)給(gei)出(chu)的(de)可(ke)擦寫次(ci)數(shu)僅為(wei)1萬(wan)次(ci)。
          2017-11-24 15664人(ren)瀏(liu)覽
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